200+ Trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI (có đáp án)
Tổng hợp trên 200 câu hỏi trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI có đáp án với các câu hỏi đa dạng, phong phú từ nhiều nguồn giúp sinh viên ôn trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI đạt kết quả cao.
200+ Trắc nghiệm Cơ sở thiết kế VLSI (có đáp án)
Câu 1. Điều gì quyết định mật độ tích hợp VLSI trên một chip bán dẫn?
A. Số lượng pin của chip
B. Số lượng lõi CPU
C. Kích thước chip và kỹ thuật chế tạo
D. Số lượng đoạn mã lệnh trong chương trình
Câu 2. Theo định luật Moore sau mỗi 18 tháng mật độ tích hợp transistor tăng lên gấp mấy lần?
A. 1,5 lần
B. 2 lần
C. 2,5 lần
D. 3 lần
Câu 3. Đây là công nghệ đóng gói gì?
A. DIP
B. SMD
C. QFP
D. QFN
Câu 4. Một trong những ưu điểm chính của ASIC so với các vi mạch dựa trên FPGA là.
A. Giá thành thấp
B. Khả năng tái cấu hình
C. Hiệu suất cao và tốc độ nhanh
D. Sản xuất nhanh chóng
Câu 5. Quá trình photolithography bắt đầu bằng việc làm gì với một wafer?
A. Phủ lên một lớp photoresist
B. Đánh bóng bề mặt wafer
C. Tạo các mạch mỏng trên wafer
D. Cắt wafer thành các chip nhỏ
Câu 6. Ưu điểm chính của kỹ thuật E-Beam là gì so với phương pháp photolithography truyền thống?
A. Hiệu suất sản xuất cao
B. Chi phí thấp hơn
C. Độ phân giải cao và khả năng tạo chi tiết nhỏ
D. Sử dụng ánh sáng có bước sóng ngắn hơn (thường là UV)
Câu 7. ALU chịu trách nhiệm thực hiện các phép toán logic như.
A. AND, OR, NOT
B. ADD, SUB, MUL
C. DIV, MOD, EXP
D. XOR, NAND, NOR
Câu 8. Đặc điểm nào sau đây chính xác về ALU?
A. ALU không thực hiện bất kỳ phép toán nào
B. ALU là mạch tính toán độc lập không kết nối với CPU
C. ALU là thành phần chính của CPU thực hiện các phép toán cơ bản và phức tạp
D. ALU chỉ thực hiện phép toán logic, không thực hiện phép toán số học
Câu 9. Chức năng chính của GPU là gì trong máy tính?
A. Thực hiện các phép toán số học và logic cơ bản
B. Xử lý và hiển thị đồ họa phức tạp
C. Quản lý lưu trữ dữ liệu
D. Điều khiển việc kết nối mạng
Câu 10. NPU là viết tắt của cụm từ gì?
A. Neural Processing Unit
B. Numerical Processing Unit
C. Network Processing Unit
D. Normal Processing Unit
Câu 11. Core là khái niệm trong vi xử lý dùng để chỉ.
A. Bộ nhớ cache của CPU
B. Số lõi xử lý độc lập trong CPU
C. Số bit mà CPU xử lý trong mỗi chu kỳ
D. Bộ vi xử lý đặc biệt của GPU
Câu 12. Kernel được hiểu là?
A. Lõi xử lý của CPU
B. Phần mềm giám sát hoạt động phần cứng
C. Giao diện người dùng của hệ điều hành
D. Trình điều khiển của card đồ họa
Câu 13. Cache là gì?
A. Bộ nhớ chính của máy tính
B. Bộ nhớ nhanh để lưu trữ dữ liệu tạm thời
C. Bộ nhớ chỉ chứa các chương trình thực thi
D. Bộ nhớ dùng để lưu trữ ảnh và video
Câu 14. Chức năng chính của ROM là gì?
A. Lưu trữ dữ liệu và chương trình thực thi
B. Thực hiện các phép toán số học và logic
C. Chỉ đọc dữ liệu, không ghi được
D. Lưu trữ dữ liệu tạm thời để truy cập nhanh
Câu 15. Trong CMOS, nguồn điện tiêu thụ năng lượng chủ yếu xảy ra khi.
A. Thiết bị đang ở trạng thái chờ
B. Thiết bị đang thực hiện phép tính
C. Thiết bị đang giao tiếp với các thiết bị khác
D. Thiết bị đang được sạc pin
Câu 16. Một trong những ưu điểm chính của công nghệ nMOS là.
A. Tiêu thụ năng lượng thấp
B. Tốc độ xử lý cao
C. Khả năng tích hợp cao
D. Độ tin cậy cao
Câu 17. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn silic làm cho nó có khả năng bán dẫn do.
A. Có nhiều lỗ trống điện tử
B. Có nhiều điện tử tự do
C. Có mạng lưới liên kết tạo thành lỗ tự do
D. Có cấu trúc tinh thể hỗn hợp
Câu 18. Trong MOSFET, dòng điện giữa nguồn và chân máng (drain) được điều khiển bởi.
A. Dòng điện vào cổng điều khiển
B. Điện áp vào cổng điều khiển
C. Dòng điện vào chân máng
D. Điện áp vào chân máng
Câu 19. Trong cấu trúc MOSFET, pMOS và nMOS có điểm khác nhau chính là.
A. Cấu trúc chất nền dẫn điện
B. Điện áp điều khiển
C. Hướng dòng điện dẫn
D. Kích thước transistor
Câu 20. Khoảng cách giữa 2 lớp khuếch tán là bao nhiêu?
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
Câu 21. Phương pháp thiết kế nào chiếm ít diện tích hơn?
A. Lamda rules
B. Micron rules
C. Layer rule
D. Source rule
Câu 22. Lớp oxit bên dưới lớp kim loại đầu tiên được lắng đọng bằng cách sử dụng?
A. Phương pháp khuếch tán
B. Lắng đọng hóa hơi
C. Lắng đọng chất rắn
D. Phương pháp tán xạ
Câu 23. Khoảng cách tối thiểu giữa 2 n-well là?
A. 4 µm
B. 5 µm
C. 8 µm
D. 8,5 µm
Câu 24. Lớp nào bị sụt áp cao?
A. Lớp kim loại
B. Lớp polysilicon
C. Lớp khuếch tán
D. Lớp silicon
Câu 25. Lớp nào có điện dung cao?
A. Lớp kim loại
B. Lớp khuếch tán
C. Lớp silicide
D. Lớp polysilicon
................................
................................
................................
Xem thêm câu hỏi trắc nghiệm các môn học Đại học có đáp án hay khác:
TÀI LIỆU CLC DÀNH CHO GIÁO VIÊN VÀ PHỤ HUYNH LỚP 12
Bộ giáo án, bài giảng powerpoint, đề thi file word có đáp án 2026 tại https://tailieugiaovien.com.vn/
Hỗ trợ zalo: VietJack Official
Tổng đài hỗ trợ đăng ký: 084 283 45 85
Công cụ giáo viên (2048.VN)
Tạo- trộn đề thi miễn phí từ file PDF, Word, Giao bài nhanh chóng, Hoàn toàn Free
- Soạn văn 12 (hay nhất)
- Soạn văn 12 (ngắn nhất)
- Giải sgk Toán 12
- Giải Tiếng Anh 12 Global Success
- Giải sgk Tiếng Anh 12 Smart World
- Giải sgk Tiếng Anh 12 Friends Global
- Giải sgk Vật Lí 12
- Giải sgk Hóa học 12
- Giải sgk Sinh học 12
- Giải sgk Lịch Sử 12
- Giải sgk Địa Lí 12
- Giải sgk Giáo dục KTPL 12
- Giải sgk Tin học 12
- Giải sgk Công nghệ 12
- Giải sgk Hoạt động trải nghiệm 12
- Giải sgk Giáo dục quốc phòng 12
- Giải sgk Âm nhạc 12
- Giải sgk Mĩ thuật 12

